技術編號：2773755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大體上涉及超短波長光刻系統(tǒng)，更具體地說涉及在遠紫外(EUV)光刻系統(tǒng)中對電磁輻射進行漫射性地反射。背景技術光刻術是一種用來在基板表面上形成特征的方法。光刻術在制造計算機芯片的技術中是一種公知方法。通常用于計算機芯片的基板是半導體材料例如硅或砷化鎵。在光刻過程中，位于在光刻工具內的平臺上的半導體晶片暴露于通過曝光系統(tǒng)被投射到晶片表面上的圖像中。該曝光系統(tǒng)通常包括用于將電路特征的影像投射到晶片上的劃線板(也被稱為掩模)。該劃線板通常位于半導體晶片和光源之...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。