技術(shù)編號(hào)：2741426
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光子晶體，尤其涉及一種測量光子晶體孔洞側(cè)壁垂直度的方 法。背景技術(shù)近年來，基于對(duì)量子密碼學(xué)，量子通訊和量子計(jì)算的研究，國際上許多科研人員都 在從事量子點(diǎn)單光子源的研究。但是，為了提高單光子的萃取效率，人們往往將量子點(diǎn)置入 微腔內(nèi)。比如，微柱微腔，微盤微腔等。與其它光學(xué)微腔相比，二維光子晶體微腔具有較小 的模式體積與較高的品質(zhì)因子，以及缺陷模式易于調(diào)節(jié)等特點(diǎn)，近年來成為人們研究的熱 點(diǎn)之一。然而，制作高質(zhì)量光子晶體成為目前難點(diǎn)之一，其中最重要一點(diǎn)是...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。