技術(shù)編號：2737574
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種利用干法等離子體處理刻蝕襯底上的含鉿層的方法和系統(tǒng)，更具體而言，涉及一種利用包含BCl3和添加氣體(additive gas)的 處理氣體刻蝕含鉿層的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)如半導體領(lǐng)域已知的，半導體器件尺寸的減小已經(jīng)變得絕對必要，以 提高器件性能并降低功耗。因此，工藝開發(fā)和集成問題是對新柵極堆疊材 料和硅化物處理的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，其中迫切地需要將Si02和氮氧化硅(SiNxOy)替換為高介電常數(shù)電介質(zhì)材料(這里也稱為"高k"材料)， 并且使用替換的柵...
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