技術(shù)編號(hào):2726491
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用ZnO (氧化鋅)的。技術(shù)背景一般通過(guò)使用a-Si (非晶硅)或poly-Si (多晶硅)形成用于液晶 顯示器或EL (電致發(fā)光)顯示器的顯示面板的半導(dǎo)體器件,例如TFT (薄膜晶體管)的半導(dǎo)體部分半導(dǎo)體器件。Si (硅)不具有大的帶隙(例如,單晶硅為l.leV)并且吸收可見(jiàn) 光。通過(guò)用光照射,在Si中形成電子和空穴(載流子)。如果形成Si 膜用于TFF的溝道形成區(qū)域,那么即使在OFF狀態(tài)下也會(huì)通過(guò)用光照 射在溝道形成區(qū)域中產(chǎn)生載流子。于是,...
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