技術編號：2703499
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種。在利用深紫外曝光光源的±1級衍射光位相掩膜光刻法制備周期較掩膜板減小一半的納米周期光柵的基礎上，提出了兩種技術方案用于調節(jié)光柵的占空比，一是通過改變曝光劑量與膠層厚度來調節(jié)光柵占空比，二是通過調節(jié)用作刻蝕掩模的遮蔽沉積層的沉積角度并結合反應離子刻蝕技術來調節(jié)光柵占空比。通過上述技術與工藝因素的調節(jié)，可以獲得不同占空比與線條寬度的光柵，從而可獲得不同性能與應用領域的占空比不同的納米周期光柵結構。本發(fā)明不限于光柵所用材料及其具體應用范圍，并且...
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