技術(shù)編號：2701200
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種。所述掩膜版包括第一相移層，本體及第二相移層；所述第一相移層和第二相移層分列于所述本體的兩側(cè)，且所述第一相移層和第二相移層的圖形的形狀和位置具有小于等于5%的誤差。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明提供的中，在本體的兩側(cè)分別形成第一相移層和第二相移層，所述第一相移層和第二相移層基本相同，那么當(dāng)進行曝光工藝時，光經(jīng)過掩膜版后會進行兩次干涉相消，從而大大的降低了衍射光的影響，提高了曝光的準(zhǔn)確性和顯影成功率。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。