技術(shù)編號(hào)：2696164
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，包括提供待圖形化基片；對(duì)待圖形化基片進(jìn)行第一次曝光；對(duì)經(jīng)過第一次曝光后的待圖形化基片進(jìn)行再曝光，所述再曝光具體操作為同時(shí)對(duì)掩膜版和基片轉(zhuǎn)動(dòng)同樣的角度，然后進(jìn)行曝光。本發(fā)明采用轉(zhuǎn)換角度進(jìn)行多次曝光的方式來消除EUV技術(shù)中的陰影效應(yīng)，減小曝光中出現(xiàn)的圖形的偏差，增加曝光精度。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，尤其涉及極紫外線光刻技術(shù)中的。背景技術(shù)[0002]當(dāng)前，整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)正在逼近光學(xué)光刻制程的物理極限，在沒有套用特別設(shè)計(jì)的光學(xué)光刻制程...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。