技術(shù)編號：2687477
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種基于娃襯底氮化物的懸空光波導器件及其制備方法，屬于信息材料與器件。背景技術(shù)隨著硅襯底氮化物緩沖層生長技術(shù)的突破，由于硅襯底和氮化物晶格失配和熱膨脹不一致造成的殘余應力得以彌補，高質(zhì)量的硅襯底氮化物晶片逐步商業(yè)化。氮化物材料，特別是氮化鎵(GaN)材料，具有較高的折射率Γ2. 5)，在可見光、近紅外波段透明，是一種優(yōu)異的光學材料。利用其材料特性集成量子阱結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)光源和光子回路的單片集成。硅和氮化物加工技術(shù)，實現(xiàn)硅襯底剝離，制備懸空的氮化物...
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