技術(shù)編號：2015023
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過在基管中進(jìn)行一個或多個化學(xué)氣相沉積反應(yīng)來制備光學(xué)預(yù)制件的方法，該方法包括以下步驟i) 向基管提供一種或多種已摻雜或未摻雜的玻璃成形前體 (precursor )， 以及ii) 在基管中引發(fā)步驟i)中提供的反應(yīng)物之間的反應(yīng)，使得基管 內(nèi)部上形成一個或多個玻璃層，其中步驟ii)包括僅創(chuàng)建在基管內(nèi)部 中的脈沖等離子區(qū)。背景技術(shù)這種方法本身可以從國際專利申請WO 03/057635中得知，其中 提到前述PCVD工藝的缺點(diǎn)之一是玻璃沉積速度較低。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。