技術(shù)編號：1949018
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及多孔氮化硅陶瓷的制備方法，尤其涉及一種基于滲硅氮化制 備無晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法。背景技術(shù)多孔氮化硅具有高耐磨性、高耐應(yīng)變性和耐損傷性等優(yōu)異的機(jī)械性能， 可以應(yīng)用于高低溫下過濾器、催化劑載體和生物反應(yīng)器，以及復(fù)合材料的增 強(qiáng)相等各個領(lǐng)域中。多孔氮化硅還具有良好的熱穩(wěn)定性、較低的介電常^、 低介電損耗、高耐沖蝕性能，被視為最有希望的新一代透波材料。氮化硅是 強(qiáng)共價鍵化合物，其自擴(kuò)散系數(shù)很小，致密化所必須的體積擴(kuò)散及晶界擴(kuò)散 速度很小，同時它的晶...
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