技術(shù)編號(hào):1853880
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種硫化釤薄膜的制備方法,具體涉及。是一種能夠制備出均勻,致密,低缺陷,強(qiáng)度高,不需后期晶化處理的納米薄膜的制備方法。背景技術(shù)SmS晶體為立方結(jié)構(gòu),是一種壓變色材料。在常溫常壓下是黑色的半導(dǎo)體 (S-SmS),其晶格參數(shù)為0. 597nm,在6. 5X IO8Pa的靜壓力下,SmS晶體會(huì)經(jīng)歷從半導(dǎo)體相向金屬相(M-SmS)的相變。晶格常數(shù)從0. 597nm減少到0. 570nm左右;而且,晶體顏色將從黑色變?yōu)榻瘘S色,體積收縮大約在16%左右[Ja...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。