技術(shù)編號(hào)：1548409
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種。 背景技術(shù)在現(xiàn)代CMOS器件中，幾乎所有襯底結(jié)構(gòu)都是經(jīng)由離子注入形成的。高能離子會(huì)損傷光刻膠，使其變得很難去除。在注入之后，這些離子會(huì)以氧化層、次氧化層或有機(jī)化合物等形式存在。這些高能離子還會(huì)使光刻膠表面變成一種金剛石型與石墨型混合的碳質(zhì)層。 因此碳化工藝使得注入光刻膠的去除變得很具挑戰(zhàn)性。對(duì)于硅上的注入光刻膠去除，可以使用堿性或酸性氟基溶液實(shí)現(xiàn)，但是會(huì)造成對(duì)底層硅的損耗；也可以使用等離子體去膠技術(shù)，但是非均勻等離子體產(chǎn)生的...
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