技術(shù)編號：1320321
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及到一種常壓等離子體自由基清洗設(shè)備，該設(shè)備包括一臺中頻等離子體發(fā)生器和一臺射頻等離子體發(fā)生器，通入工作氣體，接通電源后，這兩臺等離子體發(fā)生器向上產(chǎn)生能量不同的自由基束流，用來對硅片上的光刻膠及有機物污染物或其他襯底上的有機污染物進行清洗。背景技術(shù)硅片光刻膠清洗處理不當(dāng)可能使全部硅片報廢，或制造出的器件性能低劣、穩(wěn)定性及可靠性差，大規(guī)模集成電路發(fā)展迅速，線寬不斷減小，對硅片的無損傷清洗的要求越來越高，人們已經(jīng)逐漸認(rèn)識到了濕法清洗不能精確控制、清洗...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。