技術(shù)編號(hào)：12916766
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。VDMOS器件的制作方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種VDMOS器件的制作方法。背景技術(shù)垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件(verticaldouble-diffusedMetalOxideSemiconductor，簡(jiǎn)稱VDMOS)由于具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、以及優(yōu)越的頻率特性和熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，廣泛地被應(yīng)用于開關(guān)電源，汽車電子，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，高頻振蕩器等多個(gè)領(lǐng)域。在制作VDMOS器件的過(guò)程中，涉及到源區(qū)的制作工藝，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用的源區(qū)制作工藝是：通過(guò)光刻膠的光刻工...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。