技術(shù)編號(hào)：12916751
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種改善半導(dǎo)體器件性能的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)遵循摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì)不斷減小。為了適應(yīng)工藝節(jié)點(diǎn)的減小，不得不不斷縮短MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的溝道長(zhǎng)度。溝道長(zhǎng)度的縮短具有增加芯片的管芯密度，增加MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)速度等好處。然而，隨著器件溝道長(zhǎng)度的縮短，器件源極與漏極間的距離也隨之縮短，這樣一來(lái)柵極對(duì)溝道的控制能力變差，柵極電壓夾斷(pinchoff)溝道的難度也越來(lái)越大，使得亞閾值漏電(subthresholdlea...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。