技術(shù)編號(hào)：12806965
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬柵晶體管源漏區(qū)接觸塞的制作方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體制造，尤其超大規(guī)模集成電路中，其主要器件是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS晶體管)。自從MOS晶體管問世以來，其幾何尺寸按照摩爾定律不斷減小，然而器件的物理極限會(huì)導(dǎo)致器件按比例縮小變得越來越困難。其中，在MOS晶體管制造領(lǐng)域，最具挑戰(zhàn)的是傳統(tǒng)的MOS工藝在器件按比例縮小過程中由于多晶硅、二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度減小所帶來的柵極向襯底的漏電流問題。為解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中通過高K(介電常數(shù))柵介質(zhì)材料代...
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