技術(shù)編號：12806891
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改善硅片表面微缺陷的方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)硅片是現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路的主要襯底材料，一般通過拉晶、切片、磨片、腐蝕、退火、拋光、清洗等工藝過程做成的集成電路級半導(dǎo)體硅片。隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，200mm/300mm硅單晶襯底已成為當(dāng)前集成電路的主流，對單晶硅片表面質(zhì)量的要求也越來越高，表面微粗糙度是表征硅片表面質(zhì)量的兩個重要參數(shù)，表面微粗糙度不僅跟單晶相關(guān)，而且也取決于硅片拋光、清洗、退火等后道加工工藝。微粗糙度是硅片表面在納米尺度范圍內(nèi)的微起伏，一般用其平均值...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。