技術(shù)編號(hào)：12793488
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于集成電路或半導(dǎo)體制造過(guò)程中的新型研磨漿液，具體的說(shuō)，本發(fā)明所述的研磨液可有效地應(yīng)用于集成電路或半導(dǎo)體制造過(guò)程之淺溝槽絕緣的方法中的介電層平坦化作用。背景技術(shù)氧化鈰由于對(duì)二氧化硅具有非常高的磨除率，在傳統(tǒng)應(yīng)用中，用于玻璃的研磨。在集成電路制造過(guò)程的二氧化硅介電層之研磨中，傳統(tǒng)上以煅制硅石或膠態(tài)硅石所制得之研磨液進(jìn)行絕緣介電層之研磨，此等研磨液中均需加入氫氧化鉀以提高其研磨速度。由于添加氫氧化鉀會(huì)產(chǎn)生堿金屬離子擴(kuò)散的問(wèn)題及無(wú)法提供對(duì)二氧化硅/氮化硅可接受的磨除選擇率，此種傳統(tǒng)上所使...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。