技術(shù)編號(hào)：12715091
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本專利涉及碲鎘汞紅外探測器芯片制造工藝技術(shù)，具體涉及一種可自動(dòng)控制成形終點(diǎn)的碲鎘汞刻蝕掩膜及其去除方法。使用該掩膜可以將干法刻蝕技術(shù)應(yīng)用到碲鎘汞刻蝕掩膜的成形過程中，從而可以得到側(cè)壁垂直、均勻性好的二氧化硅掩膜圖形，并且不會(huì)對(duì)碲鎘汞材料形成損傷。后期的完全去除能夠保證碲鎘汞的表面狀態(tài)。背景技術(shù)碲鎘汞探測器是用于獲取物體紅外信息，并同時(shí)進(jìn)行信息處理的成像傳感器，其在航空、航天、農(nóng)業(yè)和海洋等多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。制備碲鎘汞探測器的核心之一就是碲鎘汞芯片制造工藝，包括鍍膜、濕法腐蝕、干法刻蝕、拋光、切...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。