技術(shù)編號(hào)：12638588
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置，特別是涉及一種可用于自動(dòng)檢測(cè)及回饋孔洞參數(shù)及膜厚信息的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置。背景技術(shù)在三維集成電路(3-DimentionalIC)中，通常是藉由穿設(shè)于半導(dǎo)體層內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductivevia)來(lái)相互電性連接，以使多個(gè)垂直堆棧的芯片之間進(jìn)行信號(hào)傳遞，進(jìn)而縮小尺寸。硅穿孔技術(shù)為一種利用通孔結(jié)構(gòu)達(dá)成連接該等垂直堆棧芯片的技術(shù)，并可取代引線焊接(wirebonding)的技術(shù)而節(jié)省引線焊接技術(shù)所需的繞線及額外的中介層。在硅穿孔制程中，孔洞參數(shù)會(huì)影...
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