技術(shù)編號(hào)：12614310
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域，特別是帶復(fù)合緩沖層的LED外延結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)由于缺乏晶格常數(shù)匹配、熱脹系數(shù)接近的熱穩(wěn)定的襯底材料，要生長平坦、沒有裂紋、低位錯(cuò)密度的高質(zhì)量GaN外延層非常困難。而降低缺陷密度是提高GaN基材料性能和壽命的關(guān)鍵。GaN與藍(lán)寶石晶格失配、熱失配很大，若直接在藍(lán)寶石襯底上生長高溫GaN，則GaN的生長是典型的三維生長機(jī)制。經(jīng)歷了孤立成島，島長大，三維生長和形成不平整面的過程，會(huì)出現(xiàn)具有凹凸不平的六角錐狀生長圖形，表面粗糙并且晶體質(zhì)量差，不能得到平整光潔的高質(zhì)量薄膜，完...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。