技術(shù)編號：12613982
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。各個實施例涉及針對用于半導(dǎo)體器件的邊緣終止結(jié)構(gòu)的概念，并且具體涉及半導(dǎo)體器件和用于形成半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)在許多應(yīng)用中，功率晶體管以反向模式(reversemode)(例如，半橋布置)進行操作。結(jié)合這種情況，體二極管可以變成正向操作，并且p型本體區(qū)和n型襯底(在n溝道MOS中的金屬氧化物半導(dǎo)體)將電子和空穴作為離子注入到漂移區(qū)(zone)。由于邊緣區(qū)域的體積很大，因此，特別是在該邊緣區(qū)域處就可能存儲了許多等離子體(plasma)，這些等離子體在施加阻斷電壓(換流(commutating))...
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