技術(shù)編號：12613018
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。開關(guān)器件及包括其作為選擇器件的電阻式隨機存取存儲器相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年12月9日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0175456的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本公開的各種實施例涉及一種半導(dǎo)體存儲器，更具體地，涉及一種開關(guān)器件及包括該開關(guān)器件作為選擇器件的電阻式隨機存取存儲器。背景技術(shù)在存儲器件的單元區(qū)中已經(jīng)采用交叉點存儲陣列結(jié)構(gòu)。更具體地，交叉點存儲陣列結(jié)構(gòu)已經(jīng)被包括在諸如電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)、相變隨機存取存儲器(PCRAM)和磁隨機存取存儲...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。