技術(shù)編號：12599054
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種終端結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件承受反偏耐壓時(shí)其內(nèi)部的pn結(jié)擴(kuò)展延伸致表面，使表面的峰值電場高于體內(nèi)，導(dǎo)致?lián)舸┌l(fā)生在表面，同時(shí)，當(dāng)碰撞電離在表面發(fā)生時(shí)，電離過程產(chǎn)生的熱載流子易進(jìn)入鈍化層，在鈍化層內(nèi)部形成固定電荷，改變電場分布，使器件性能不穩(wěn)定，可靠性下降。目前，主要采用終端技術(shù)降低表面電場和提高終端耐壓，對于垂直型半導(dǎo)體器件來講，終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)主要集中在半導(dǎo)體器件芯片的正面，芯片的背面整體為同電位的陽極，而終端結(jié)構(gòu)的耐壓主要指陽極和...
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