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技術(shù)編號(hào)：12566055

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一種溝槽型SiCMOSFET用原胞技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽型SiCMOSFET用原胞。背景技術(shù)SiC溝槽型MOSFET(UMOSFET)具有很多優(yōu)勢(shì)，如p基區(qū)可以用外延生長(zhǎng)形成，消除了離子注入形成p基區(qū)時(shí)缺陷帶來(lái)的影響，另外，溝槽型MOSFET的原胞可以做到更小，電流密度更高，特別是對(duì)于SiC材料昂貴的價(jià)格，可顯著的降低芯片成本。但是UMOSFET存在溝槽底部電場(chǎng)集中，以致柵介質(zhì)可靠性差的問(wèn)題，圖1為一種普通規(guī)格的n溝道UMOSFET原胞的示意圖，在關(guān)斷狀態(tài)下，加在漏極...
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