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技術(shù)編號：12485630

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其是涉及GaN基高功率、高電子遷移率半導(dǎo)體晶體管器件。背景技術(shù)GaN基III-V族氮化物寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)光和紫外光電子學(xué)領(lǐng)域占有重要地位，同時也是制造高溫大功率半導(dǎo)體器件的重要材料。目前GaN基的藍(lán)光/紫外光發(fā)光二極管和激光器都已經(jīng)產(chǎn)品化，在電學(xué)器件如FETs，HBTs，MOSFETs方面的研究也有了重大的進(jìn)展。盡管寬帶隙、高熱導(dǎo)率和高飽和電子速度等優(yōu)良的特性給III-V族氮化物在高溫電子器件應(yīng)用方面開辟了廣闊的應(yīng)用前景，但是II...
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