技術(shù)編號：12483309
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。GaN基金屬-超薄氧化物-半導(dǎo)體的復(fù)合結(jié)構(gòu)納米激光器及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明專利涉及一種GaN基金屬-超薄氧化物-半導(dǎo)體的復(fù)合結(jié)構(gòu)納米激光器及其制備方法，屬于微納光電子與激光器件應(yīng)用領(lǐng)域。背景技術(shù)III族氮化物半導(dǎo)體具有連續(xù)可調(diào)的寬能隙，在藍(lán)綠以及紫外光電子器件中具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)勢。為了提高發(fā)光器件的效率和拓展器件的功能，研究者大量的采用低維量子結(jié)構(gòu)，包括量子阱，量子線(納米線)、納米點(diǎn)等結(jié)構(gòu)，同時使得器件能夠在力學(xué)、生化、電磁以及光電子等多方面展示優(yōu)異性能。一維納米線(柱)量子結(jié)構(gòu)因其具有良好的...
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