技術編號：12483280
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體激光器，具體涉及一種DFB(分布式反饋)半導體激光器制備方法及激光器。背景技術在光纖通信中，半導體激光器由于體積小、效率高、功耗低、易于集成等優(yōu)點，已經成為光通信領域中的核心信號發(fā)射源，在半導體激光器中DFB激光器由于其單模輸出，輸出光譜窄，有效地降低了光在光纖中傳輸而引起的色散展寬，非常適合于應用在高速調制和長距離光纖通信中。對于DFB半導體激光器來說，目前主要的方法是在外延材料的光柵層上通過雙光束全息曝光方法制備周期均勻性的光柵，再通過MOCVD生長技術掩埋光柵，完成外延...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。