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技術(shù)編號：12478006

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一種基于GaNHEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于GaNHEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法。背景技術(shù)GaNHEMT器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、高電流密度是高頻、高功率以及高惡環(huán)境應(yīng)用的首選器件。要把氮化鎵材料的本征優(yōu)勢完全發(fā)揮出來，GaNHEMT異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)生長質(zhì)量非常關(guān)鍵，隨著MOCVD、MBE等生長方式的不斷進(jìn)步，高質(zhì)量低成本的GaNHEMT異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)輕易得到，器件制備工藝正逐漸成為GaNHEMT器件性能提升的瓶頸，優(yōu)化的器件制備工藝亟待...
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