技術(shù)編號(hào):12477141
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種上電保護(hù)電路和控制方法。背景技術(shù)IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。IGBT由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)。作為電力電子重要大功率主流器件之一,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。