技術(shù)編號：12476164
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。層疊存儲器件及包括其的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年11月23日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0163772的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的示例性實施例總體而言涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，更具體地，涉及一種能夠執(zhí)行晶片級測試的層疊存儲器件及包括其的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)。背景技術(shù)由于半導(dǎo)體存儲器技術(shù)已經(jīng)快速發(fā)展，因此對于半導(dǎo)體集成器件的封裝技術(shù)，存在對高度集成和高性能的不斷增長的需求。在過去，二維(2D)結(jié)構(gòu)已經(jīng)被用作傳統(tǒng)封裝技術(shù)，在二維結(jié)構(gòu)中，具有集成...
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