技術(shù)編號：12474156
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有優(yōu)選品質(zhì)的外延層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)近年來，隨著場效晶體管(fieldeffecttransistors,FETs)元件尺寸持續(xù)地縮小，現(xiàn)有平面式(planar)場效晶體管元件的發(fā)展已面臨制作工藝上的極限。為了克服制作工藝限制，以非平面(non-planar)的場效晶體管元件，例如鰭狀場效晶體管(finfieldeffecttransistor,FinFET)元件來取代平面晶體管元件已成為目前的主流發(fā)展趨勢。由于鰭狀場效晶體管元件的立體結(jié)構(gòu)可增加?xùn)艠O與鰭...
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