技術(shù)編號：12370045
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種晶圓凸塊形成方法。背景技術(shù)隨著便攜式及高性能微電子產(chǎn)品向短、小、輕、薄化方向發(fā)展，傳統(tǒng)打線方式(WireBonding)作為晶片與各式基材結(jié)合的封裝技術(shù)已不能滿足現(xiàn)在消費電子產(chǎn)品的需求，取而代之的凸塊封裝成為晶圓級封裝的關(guān)鍵技術(shù)。在凸塊封裝工藝中，多用電鍍的方法進行形成凸塊，較為傳統(tǒng)的流程如圖1所示，首先進行步驟S101，利用物理氣相沉積法(PVD)在晶圓表面形成銅種子層，然后進行步驟S102，在銅種子層上涂布光刻膠，通過光刻工藝將凸塊形成區(qū)域顯影出來。...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。