技術(shù)編號：12369753
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種深度負載可調(diào)的刻蝕方法。背景技術(shù)在實際生產(chǎn)過程中，經(jīng)常需要不同型號的刻蝕機對硅片進行相同工藝的溝槽刻蝕，以生產(chǎn)同一型號的產(chǎn)品，但是不同型刻蝕機生產(chǎn)出來的產(chǎn)品的深度負載效應(yīng)不同，進而導(dǎo)致電學(xué)性能也存在差異，因此，為了滿足同一產(chǎn)品的電學(xué)性能的一致性，不同型刻蝕機生產(chǎn)出來的同一產(chǎn)品的深度負載效應(yīng)需要具有一致性。現(xiàn)有技術(shù)中的刻蝕方法包括硬掩膜主刻蝕步驟、硬掩膜過刻蝕步驟和淺溝槽刻蝕步驟，深度負載效應(yīng)主要來自淺溝槽刻蝕步驟，硬掩膜刻蝕步驟所帶來的深度負載效應(yīng)非常小，相...
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