技術(shù)編號：12369750
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路的制造中，摻硼的二氧化硅(BPSG)由于其流動性較好、臺階覆蓋性好，填充力強，因而廣泛地作為介電層被應(yīng)用。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具體制作過程中，例如在形成金屬互連結(jié)構(gòu)時，需對介電層進行刻蝕以形成一些通孔與凹槽。實際結(jié)果表明，上述通孔與凹槽的形貌與預(yù)定形貌之間存在一些偏差，上述偏差較大時，會造成所填充的通孔、凹槽與預(yù)定電連接區(qū)域，例如前層金屬互連結(jié)構(gòu)短路或斷路。有鑒于此，實有必要提供一種新的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法以解決上述問題...
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