技術(shù)編號(hào):12369663
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)和加工領(lǐng)域,更具體的說(shuō),涉及一種半導(dǎo)體工藝中去除殘余物質(zhì)的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,半導(dǎo)體硅片的結(jié)構(gòu)已變得非常復(fù)雜,但多樣化的半導(dǎo)體加工手段同樣也層出不窮,為人們提供了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)的有效途徑。在一些半導(dǎo)體刻蝕工藝中,含氟(F)的刻蝕劑與硅片中的含鈦(Ti)的半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)相接觸并發(fā)生反應(yīng),很容易產(chǎn)生一些副產(chǎn)物附著于硅片的表面,比如TiF4。TiF4這種殘余物質(zhì)比較頑固,且肉眼幾乎難以察覺(jué),如果對(duì)這些殘存的TiF4不加處理,會(huì)影響后續(xù)工藝,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。