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技術(shù)編號：12307826

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本發(fā)明實施例涉及鰭式場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷縮小，已經(jīng)開發(fā)出諸如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)以代替平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。FinFET的結(jié)構(gòu)性特征是從襯底的表面垂直延伸的硅基膜，并且包裹環(huán)繞由鰭形成的導(dǎo)電溝道的柵極進(jìn)一步提供了對溝道的更好的電控制。目前，F(xiàn)inFET已經(jīng)應(yīng)用于各種應(yīng)用。在一些高功率應(yīng)用中，目前制造的FinFET不能滿足高功率的要求。因此，如何提高FinFET的飽和電流和電流密度對本領(lǐng)域技術(shù)人員非常重要。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明...
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