技術(shù)編號(hào)：12129590
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、利用該薄膜晶體管的超聲波傳感器、利用該薄膜晶體管的陣列基板及利用該陣列基板的顯示裝置。背景技術(shù)薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)作為開關(guān)組件已被廣泛應(yīng)用于傳感器、顯示或觸控等領(lǐng)域。常見的TFT包括柵極、柵極絕緣層、通道層、源極及漏極，柵極絕緣層位于柵極與通道層之間以使二者相互絕緣，源極及漏極分別與通道層的兩端接觸。當(dāng)對(duì)TFT的柵極施加電壓，通道層的底部會(huì)形成電子通道，而當(dāng)對(duì)漏極也施加電壓時(shí)，電子會(huì)從源極通過通道層的電子通道流到漏極，使源極與漏極之...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。