技術(shù)編號(hào)：12129409
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅穿孔的制備方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有的半導(dǎo)體微電子領(lǐng)域，常常會(huì)采用硅通孔技術(shù)在三維集成電路中對(duì)堆疊芯片進(jìn)行互連。由于硅通孔技術(shù)能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，可以有效地實(shí)現(xiàn)這種3D芯片層疊，制造出結(jié)構(gòu)更復(fù)雜、性能更強(qiáng)大、更具成本效率的芯片，成為了目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的一種技術(shù)。但是，現(xiàn)有的硅通孔技術(shù)形成的硅通孔往往會(huì)在金屬層表面形成一保護(hù)層(比如在銅表面)，如果金屬層退火不徹底，金屬層很容易在后段工藝中受高溫影響導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。