技術(shù)編號：12129401
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種形成自對準接觸部的方法。背景技術(shù)在集成電路的制造過程中，通常采用鎢塞(plug)作為接觸部，實現(xiàn)互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)與外部的電連接。隨著集成電路工藝的不斷發(fā)展，器件的尺寸不斷的縮小，使得不同層間的對位光刻的難度越來越高。由柵極間距縮減所引起的問題之一是：一旦接觸部未對準時，會造成接觸部到柵極(CTG)短路的形成。該CTG短路實際上破壞了MOS晶體管。由于晶體管柵極間距已經(jīng)縮減到45納米以下，所以CTG短路已經(jīng)變成主要的成品率限制因素之一。當前用于...
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