技術(shù)編號：12065863
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域，特別是涉及一種利用可控缺陷石墨烯插入層制備金屬-半導(dǎo)體合金的方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有技術(shù)中，在半導(dǎo)體襯底表面直接生長金屬薄膜層時，生長的金屬薄膜層與半導(dǎo)體襯底的界面的接觸特性比較差，且生長的金屬薄膜層的質(zhì)量不好，穩(wěn)定性較差。如圖1所示，圖1為在Ge襯底表面直接形成Ni金屬層后于400℃退火處理30s后得到的樣品的TEM圖，由圖1可知，無論是NiGe薄膜層的表面還是NiGe薄膜層與所述Ge襯底的界面均凸凹不平，厚度不均勻。為了解決上述問題，現(xiàn)有的改進方法為現(xiàn)在半導(dǎo)體襯底表面形成...
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