技術(shù)編號：12027745
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種低溫存儲裝置。背景技術(shù)在空間環(huán)境中，存在一種總劑量輻射效應(yīng)，而航天器為了能夠在復(fù)雜的空間環(huán)境中正常工作，需要對航天器進(jìn)行抗輻射效應(yīng)的加固設(shè)計。在加固設(shè)計過程中，需要給出半導(dǎo)體器件抗輻射能力指標(biāo)，所以首先需要對宇航用半導(dǎo)體器件進(jìn)行抗輻射能力評估，對宇航用元器件開展地面總劑量模擬實驗，獲得宇航用半導(dǎo)體器件的抗總劑量輻照能力指標(biāo)。目前主要是采用鈷源產(chǎn)生的γ射線進(jìn)行總劑量效應(yīng)模擬實驗。在鈷源總劑量模擬試驗流程中，要求試驗器件輻照后兩小時內(nèi)完成電參數(shù)測試，但在實際試驗過程中往往存在輻照后測試...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。