技術編號：12018849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微電子技術領域，具體涉及調節(jié)硅化鈦(TiSix)和硅之間肖特基接觸勢壘的方法。背景技術肖特基器件不僅廣泛應用于通信、計算機、汽車等電子信息領域，而且應用于航空、航天等國防重點工程，由于鈦具有熔點高、比重小、比強度高、韌性好、抗疲勞、耐腐蝕、導熱系數低、高低溫度耐受性能好、在急冷急熱條件下應力小等特點是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度肖特基二極管的比較理想的新型材料，目前硅化鈦/硅肖特基二極管被廣泛研究。肖特基器件的性能主要受到肖特基接觸勢壘的制約。普通硅化鈦/硅肖特基整流二極管的接觸...
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