技術(shù)編號(hào)：12013695
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于光伏領(lǐng)域，尤其涉及一種GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)電池的制作方法。背景技術(shù)在上個(gè)世紀(jì)70年代引發(fā)的能源危機(jī)刺激下，也在空間飛行器能源系統(tǒng)的需求牽引下，光伏技術(shù)領(lǐng)域不斷取得突破。晶體硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池、非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體多晶薄膜太陽(yáng)能電池等，越來(lái)越多的太陽(yáng)能電池技術(shù)日趨成熟。光電轉(zhuǎn)換效率的不斷提高及制造成本的持續(xù)降低，使得光伏技術(shù)在空間和地面都得到了廣泛的應(yīng)用?；仡櫣夥夹g(shù)在最近10年的...
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