技術(shù)編號：11964660
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種在Si表面生成0-50納米任意高度納米臺階的方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于納米制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及納米結(jié)構(gòu)的制備，具體涉及一種在Si表面生成0-50納米任意高度納米臺階的方法。背景技術(shù)納米標(biāo)準(zhǔn)樣的發(fā)展，已經(jīng)進(jìn)入100納米以下的尺度。X和Y方向控制已經(jīng)可以達(dá)到幾納米，但是Z方向的控制，有很大的隨機性。不管采用聚焦離子束技術(shù)還是濺射沉積技術(shù)以及ICP工藝，得到的臺階結(jié)構(gòu)高度都與設(shè)計偏差較大，同時表面粗糙度也較大。作為標(biāo)準(zhǔn)樣，需要高度準(zhǔn)確以及同時側(cè)壁陡直。原子層沉積技術(shù)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。