技術(shù)編號:11956102
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于控制至少一個(gè)反向?qū)щ?RC)IGBT的方法,特別涉及控制包括兩個(gè)RC-IBGT的半橋電路的方法。發(fā)明內(nèi)容第一實(shí)施例涉及一種用于控制第一開關(guān)和第二開關(guān)的方法,其中每個(gè)開關(guān)是RC-IGBT,并且其中這兩個(gè)開關(guān)被布置為半橋電路,方法包括:-控制IGBT模式中的第一開關(guān);-控制第二開關(guān),使得其在DIODE模式中時(shí)變?yōu)槿ワ柡停?其中對所述第二開關(guān)的控制開始在所述第一開關(guān)將所述第一開關(guān)的IGBT模式從阻斷狀態(tài)改變到導(dǎo)電狀態(tài)之前并且至少持續(xù)得與所述第一開關(guān)將所述第一開關(guān)的IGBT模式...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。