技術(shù)編號：11925141
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本揭露是有關(guān)于一種量測方法。背景技術(shù)多年來，已經(jīng)存在裝置用于在制造期間的各階段處評價半導(dǎo)體晶圓的參數(shù)?，F(xiàn)代材料科學(xué)愈加注重于在極小尺度上對材料進行分析及控制。隨著幾何形狀持續(xù)縮減，制作商已經(jīng)愈加轉(zhuǎn)向光學(xué)技術(shù)以執(zhí)行半導(dǎo)體晶圓的非破壞性檢查與分析。一種類型的光學(xué)檢查與分析稱為光學(xué)量測且使用一系列不同光學(xué)技術(shù)來執(zhí)行。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一些實施方式，提供一種半導(dǎo)體樣品的布植劑量分布的量測方法。量測方法包含在半導(dǎo)體樣品的三維結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生光調(diào)變效應(yīng)且量測三維結(jié)構(gòu)的反射信息。獲得半導(dǎo)體樣品的三維結(jié)構(gòu)的幾何形狀信息。將...
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