技術(shù)編號：11905427
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于環(huán)境材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種印跡ZnO磁性復(fù)合光催化納米反應(yīng)器及其制備方法，以及選擇性光催化降解甲磺酸達(dá)諾沙星的研究。背景技術(shù)ZnO作為典型的n型寬禁帶半導(dǎo)體，具有生產(chǎn)成本低、光電性能獨特等優(yōu)點，是一種高效的半導(dǎo)體光催化材料，已經(jīng)被國內(nèi)外學(xué)者進(jìn)行了深入地研究。但從實際應(yīng)用出發(fā)，普通ZnO回收難，再次利用率低，不能從眾多污染物中選擇性去除特定目標(biāo)物，這些缺點極大地限制了ZnO的應(yīng)用和發(fā)展。針對上述回收難，再次利用率低等問題，我們引入了磁性材料。Fe3O4作為典型的磁性材料，具有較好...
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