技術(shù)編號：11867521
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于讀取電阻器或單元中儲存的信息的半導(dǎo)體裝置相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年5月8日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2015-0064854的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，且更具體地，涉及一種用于讀取儲存在電阻器或單元中的信息的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置以各種方法來使用晶體管。晶體管包括柵極、漏極和源極。當(dāng)晶體管的柵極接收到比其閾值電壓高的電壓時，在漏極與源極之間創(chuàng)建溝道，且電流流動。晶體管通常分類為N溝道MOS晶體管和P溝...
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