技術(shù)編號：11835970
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶片邊緣剝落缺陷源頭的清除方法與一種金屬互連結(jié)構(gòu)的制作方法。背景技術(shù)在制作硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)的過程中，常在晶片上設(shè)置絕緣層、刻蝕停止層與具有降低離子擴散效應(yīng)的阻擋層，在光刻與刻蝕之后，晶片邊緣未形成金屬層圖案的區(qū)域，其邊緣的絕緣層、刻蝕停止層與阻擋層較難去除，并隨后續(xù)重復(fù)的金屬層制程而形成堆疊層，由于堆疊層中的各層與晶片襯底及金屬層的材料的差異，在金屬淀積的熱處理過程中，堆疊層出現(xiàn)熱膨脹系數(shù)失配，不同的熱膨脹系數(shù)使...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。